国家知识产权局信息显示，深圳磐锐电子技术有限公司申请一项名为“一种凹坑基座热辐射控温微型恒温晶体振荡器封装结构”的专利，公开号CN121841307A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种凹坑基座热辐射控温微型恒温晶体振荡器封装结构，其技术方案要点是：包括基座，所述基座内部的底面设置有ASIC芯片，所述ASIC芯片的发热面上方设有热辐射增强层；设于所述基座内部的晶片，设于所述基座顶面的隔热部件；设于所述基座内部的所述限位部件，当ASIC芯片在工作时，此时ASIC芯片的发热面发出的热量通过热辐射增强层可以照射到晶片，以此对晶片进行加热，从而对晶片进行加热控温，同时，热辐射增强层在散发热辐射时，此时镀金反射层可以对热辐射进行反射，使反射后的热辐射可以二次照射到晶片，以此提高晶片的加热控温效率，同时，低导热隔热层可以降低基座内的热辐射被封装盖吸收，以此提高基座内的温控效率。

天眼查资料显示，深圳磐锐电子技术有限公司，成立于2025年，位于深圳市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1176.5万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳磐锐电子技术有限公司专利信息2条。

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作者：情报员